IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)は、パワー半導体デバイスのひとつとして、電化製品や産業用機器に広く使用されています。
このケースでは、汎用有限要素解析ソフトウェアAIFEMを使用して、IGBTの温度分布と、その温度に起因する応力分布を解析しました。
電子機器の温度分布や応力分布を解析することで、設計合理性を予測するための基礎データを取得することができます。
解析するメッシュモデルを図1に示します。
図1:メッシュモデル
AIFEMの解析結果は以下となります。
表1:各分布図
温度分布 | 変形量分布 | 応力分布 |
また、参考値との比較結果は以下となります。
表2:結果比較