IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）は、パワー半導体デバイスのひとつとして、電化製品や産業用機器に広く使用されています。

このケースでは、汎用有限要素解析ソフトウェアAIFEMを使用して、IGBTの温度分布と、その温度に起因する応力分布を解析しました。

電子機器の温度分布や応力分布を解析することで、設計合理性を予測するための基礎データを取得することができます。

メッシュモデルについて

解析するメッシュモデルを図1に示します。

図1：メッシュモデル

解析結果について

AIFEMの解析結果は以下となります。

表1：各分布図

温度分布	変形量分布	応力分布

また、参考値との比較結果は以下となります。

表2：結果比較